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HMDS烘箱在第三代半導(dǎo)體材料中的工藝

更新時(shí)間:2023-10-07   點(diǎn)擊次數(shù):1147次

HMDS烘箱在第三代半導(dǎo)體材料中的工藝

  第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(禁帶寬度Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。其中又以SiC和GaN為最核心的材料。然而這些新材料襯底在光刻模塊中的標(biāo)準(zhǔn)步驟是:脫水烘烤、HMDS prime、抗蝕劑旋轉(zhuǎn)/噴涂、軟烘烤、對準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、顯影硬烘烤和除渣。

  HMDS prime - 在晶圓表面涂上附著力促進(jìn)劑。附著力促進(jìn)劑用于與晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并用有機(jī)官能團(tuán)取代 -OH 基團(tuán),與羥基不同,該官能團(tuán)對光刻膠具有良好的附著力。硅烷通常用于此目的,最常見的是六甲基二硅烷 (HMDS)。

  施加粘合促進(jìn)劑的優(yōu)選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中,通常是在升高的溫度和降低的壓力下。這允許在沒有過多 HMDS 沉積的情況下對基材進(jìn)行良好的涂覆,并且更高的溫度會(huì)導(dǎo)致與硅烷醇基團(tuán)的反應(yīng)好。

  文中所要求的HMDS蒸汽及升高溫度和降低壓力的制作工藝,可在HMDS烘箱中完成,無需獨(dú)立操作,一鍵作業(yè)。

HMDS烘箱技術(shù)規(guī)格:

內(nèi)腔尺寸:300×300×300、450×450×450(mm)(可定制)

材質(zhì):內(nèi)箱采用 316L 醫(yī)用級不銹鋼

溫度范圍:RT+30-200℃

真空度:≤1torr

電源及總功率:AC 220V±10% / 50HZ,總功率約2.8KW

控制儀表:人機(jī)界面,一鍵運(yùn)行

擱板層數(shù):2 層

HMDS控制:可控制HMDS添加量

真空泵:無油渦旋真空泵


HMDS藥液泄漏報(bào)警提示功能

HMDS低液位報(bào)警提示功能

工藝數(shù)據(jù)記錄功能

藥液管道預(yù)熱功能

程序鎖定保護(hù)等功能



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